9月26日,SK海力士宣布全球率先开始量产12层HBM3E新品,实现了现有HBM产品中最大的36GB(千兆字节)容量。
据悉,SK海力士将在年内向客户提供产品,距其今年3月全球率先向客户供应8层HBM3E,仅时隔6个月。
SK海力士表示,12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。率先成功量产12层堆叠产品,不仅满足了人工智能企业日益发展的需求,同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。
此外,SK海力士还堆叠12颗3GB DRAM芯片,实现与现有的8层产品相同的厚度,同时容量提升50%。为此,其将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%,并采用硅通孔技术(TSV)技术垂直堆叠。同时应用先进MR-MUF工艺,使放热性能较上前一代提升了10%,并增强了控制翘曲问题,从而确保了稳定性和可靠性。
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